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未来材料・システム研究所のほかの学科 ›名古屋大学の学部 ›

伊藤 健治
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豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門は、名古屋大学未来材料・システム研究所の産学協同研究部門のひとつで、GaNパワーデバイスを研究しています。研究は、結晶の成長、ゲート絶縁膜と界面、加工やイオン注入などのプロセス、デバイスの設計という4つの観点から進められています。ページには、縦型トレンチGaNデバイスと、N型低濃度エピのホール移動度を示す図が載っています。

天内 英隆
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三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門は、窒化ガリウム(GaN)の優れた物性を活かした新しいデバイス構造の土台となる、高品位なGaN基板の研究開発に取り組んでいます。基板の品質とデバイスの特性がどう関係しているかを調べ、そのメカニズムを明らかにすることを目指しています。未来材料・システム研究所にある産学協同研究部門の一つです。

佐藤 大樹
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Photo electron Soul GaN電子ビームデバイス産学協同研究部門は、GaN系半導体フォトカソードの研究開発を行っています。この研究開発を通じて、GaNの新たなアプリケーションである「GaN電子ビームデバイス」の産業展開を加速しています。部門名にある(株)Photo electron Soul は、名古屋大学発の企業です。未来材料・システム研究所に置かれた産学協同研究部門の一つです。

村山 健太
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UJ-Crystal超高品質SiC半導体産学協同研究部門は、未来材料・システム研究所にある産学協同研究部門の一つで、SiC結晶の溶液成長技術の研究に取り組んでいます。部門の紹介では、名古屋大学発のベンチャー企業(株)UJ-Crystalが、SiC溶液成長法技術と機械学習技術を用いて超高品質SiC単結晶基板の社会実装を早期に目指すと説明されています。これにより、EVやスマートグリッド分野でのさらなる省エネをはかり、カーボンニュートラルに貢献するとしています。

中村 真季
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D4原子膜工学産学協同研究部門は、無機ナノシートをはじめとする、原子レベルで設計された薄膜や界面の材料をつくり、その機能を開拓する研究をしています。触媒機能の高度化、次世代の電子デバイス、環境・エネルギー分野への応用を目指しています。新規ナノ構造体の構築にも取り組んでいます。名古屋大学 未来材料・システム研究所に置かれた、産学協同研究部門の一つです。

後藤 万佐司
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NGKアドバンストナノマテリアル産学協同研究部門は、無機ナノ材料の開発とその応用を中心とした研究を進めています。カーボンニュートラルとデジタル社会の実現に貢献する、新商品や新事業の創出を目指しています。名古屋大学 未来材料・システム研究所に置かれた、産学協同研究部門の一つです。
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