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名古屋大学　未来材料・システム研究所

学部：未来材料・システム研究所産学協同研究部門

豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門

GaNパワーデバイスの作り方と設計を研究する産学協同研究部門。

GaNパワーデバイスエピタキシャル成長デバイス設計

半導体ウェハー上に並ぶチップの斜め写真 — ※イメージ画像です。研究室で撮影したものではありません。

About研究室について

GaNパワーデバイスを、4つの観点から研究。

豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門は、名古屋大学未来材料・システム研究所の産学協同研究部門のひとつで、GaNパワーデバイスを研究しています。
研究は、結晶の成長、ゲート絶縁膜と界面、加工やイオン注入などのプロセス、デバイスの設計という4つの観点から進められています。
ページには、縦型トレンチGaNデバイスと、N型低濃度エピのホール移動度を示す図が載っています。

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Research研究テーマ

この部門では、不純物や点欠陥を高精度に制御するエピタキシャル成長技術と、ゲート絶縁膜・MOS界面技術に取り組んでいます。低ダメージ加工やイオン注入などのプロセス技術、超低損失を実現するデバイス設計技術も、研究の観点です。

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Members教員

特任教授伊藤健治
特任教授兼近将一

Voices先輩の声

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先輩の評価（0人）

研究実績

学内の研究にじっくり学会・論文でどんどん発表

テーマの自由度

先生がテーマを用意自分でテーマを決める

指導の手厚さ

自由にやらせるじっくり指導

研究資金

工夫してやりくり設備・資金が潤沢

メンバーの仲

それぞれ黙々とわいわい仲良し

研究全体の忙しさ

研究にどっぷり時間にゆとり

コアタイム-

研究室のミーティング-

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トップの画像：「Wafer - 5」 Windell Oskay／CC BY 2.0（トリミング）
関連する研究室（三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門）：「Cem Bascer 190206-N-NO204-765」 QROMIS／パブリックドメイン（トリミング）
関連する研究室（Ｄ４原子膜工学産学協同研究部門）：「Titanium strip thin film interference」 AzideIon／CC BY-SA 4.0（トリミング）
関連する研究室（UJ-Crystal超高品質SiC半導体産学協同研究部門）：「Silicon-carbide-3D-balls」作者不詳／パブリックドメイン（トリミング）
関連する研究室（NGKアドバンストナノマテリアル産学協同研究部門）：「183483main MSRR-11」 NASA／パブリックドメイン（トリミング）

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