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名古屋大学　未来材料・システム研究所

Photo electron Soul GaN電子ビームデバイス産学協同研究部門

GaN半導体の電子ビームデバイスを企業と共に開発する部門。

GaNフォトカソード電子ビームデバイス

GaN系マイクロLEDが並ぶウェハ — ※イメージ画像です。研究室で撮影したものではありません。

About研究室について

GaNの電子ビームデバイスで、産業展開を加速する。

Photo electron Soul GaN電子ビームデバイス産学協同研究部門は、GaN系半導体フォトカソードの研究開発を行っています。
この研究開発を通じて、GaNの新たなアプリケーションである「GaN電子ビームデバイス」の産業展開を加速しています。
部門名にある（株）Photo electron Soul は、名古屋大学発の企業です。
未来材料・システム研究所に置かれた産学協同研究部門の一つです。

用語の説明

GaN: 窒化ガリウムの略。この部門が研究開発の対象にしている半導体材料
産学協同研究部門: 企業と大学が協同で研究を進める、研究所内の部門

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Research研究テーマ

GaN系半導体フォトカソードの研究開発を通じて、GaNの新たな使い道である電子ビームデバイスの産業展開を目指しています。協同する（株）Photo electron Soul は、名古屋大学発の企業です。

※イメージ画像

GaN電子ビームデバイスの研究開発

GaN系半導体フォトカソードの研究開発を通じて、GaNの新たなアプリケーションである「GaN電子ビームデバイス」の産業展開を加速しています。

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Members教員

特任講師佐藤大樹

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研究実績

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テーマの自由度

先生がテーマを用意自分でテーマを決める

指導の手厚さ

自由にやらせるじっくり指導

研究資金

工夫してやりくり設備・資金が潤沢

メンバーの仲

それぞれ黙々とわいわい仲良し

研究全体の忙しさ

研究にどっぷり時間にゆとり

コアタイム-

研究室のミーティング-

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トップの画像：「Plessey Semiconductors Ltd GaN-on-Silicon microLED arrays on wafer」 Palee93／CC BY-SA 4.0（トリミング）
GaN電子ビームデバイスの研究開発：「Semiconductor Wafer of Microelectronics」 DrHughManning／CC BY-SA 4.0（トリミング）
関連する研究室（UJ-Crystal超高品質SiC半導体産学協同研究部門）：「Silicon-carbide-3D-balls」作者不詳／パブリックドメイン（トリミング）
関連する研究室（三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門）：「Cem Bascer 190206-N-NO204-765」 QROMIS／パブリックドメイン（トリミング）
関連する研究室（Ｄ４原子膜工学産学協同研究部門）：「Titanium strip thin film interference」 AzideIon／CC BY-SA 4.0（トリミング）
関連する研究室（NGKアドバンストナノマテリアル産学協同研究部門）：「183483main MSRR-11」 NASA／パブリックドメイン（トリミング）

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