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名古屋大学　未来材料・システム研究所

UJ-Crystal超高品質SiC半導体産学協同研究部門

SiC結晶の溶液成長技術を研究する産学協同研究部門。

SiC溶液成長法機械学習SiC単結晶基板

炭化ケイ素の結晶構造の分子模型 — ※イメージ画像です。研究室で撮影したものではありません。

About研究室について

溶液成長でSiC結晶を研究する部門。

UJ-Crystal超高品質SiC半導体産学協同研究部門は、未来材料・システム研究所にある産学協同研究部門の一つで、SiC結晶の溶液成長技術の研究に取り組んでいます。
部門の紹介では、名古屋大学発のベンチャー企業（株）UJ-Crystalが、SiC溶液成長法技術と機械学習技術を用いて超高品質SiC単結晶基板の社会実装を早期に目指すと説明されています。
これにより、EVやスマートグリッド分野でのさらなる省エネをはかり、カーボンニュートラルに貢献するとしています。

用語の説明

SiC単結晶基板: 炭化ケイ素（SiC）の単結晶でできた板。半導体素子をつくる土台になる
SiC溶液成長法: SiCの結晶を、溶液から成長させる方法
スマートグリッド: 情報技術を使って電力の流れを効率よく制御する電力網

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Research研究テーマ

部門の紹介では、名古屋大学発のベンチャー企業（株）UJ-Crystalが、SiC溶液成長法技術と機械学習技術を用いて超高品質SiC単結晶基板の社会実装を早期に目指すと説明されています。EVやスマートグリッド分野でのさらなる省エネをはかり、カーボンニュートラルに貢献することを掲げています。

※イメージ画像

高品質SiC結晶の溶液成長

高品質なSiC結晶を溶液から成長させる技術の研究を、部門の研究テーマに掲げています。

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Members教員

特任准教授村山健太

Voices先輩の声

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研究実績

学内の研究にじっくり学会・論文でどんどん発表

テーマの自由度

先生がテーマを用意自分でテーマを決める

指導の手厚さ

自由にやらせるじっくり指導

研究資金

工夫してやりくり設備・資金が潤沢

メンバーの仲

それぞれ黙々とわいわい仲良し

研究全体の忙しさ

研究にどっぷり時間にゆとり

コアタイム-

研究室のミーティング-

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トップの画像：「Silicon-carbide-3D-balls」作者不詳／パブリックドメイン（トリミング）
高品質SiC結晶の溶液成長：「FZU AV CR Silicon Single Crystal C」 Mojmir Churavy／CC BY-SA 4.0（トリミング）
関連する研究室（NGKアドバンストナノマテリアル産学協同研究部門）：「183483main MSRR-11」 NASA／パブリックドメイン（トリミング）
関連する研究室（Photo electron Soul GaN電子ビームデバイス産学協同研究部門）：「Plessey Semiconductors Ltd GaN-on-Silicon microLED arrays on wafer」 Palee93／CC BY-SA 4.0（トリミング）
関連する研究室（三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門）：「Cem Bascer 190206-N-NO204-765」 QROMIS／パブリックドメイン（トリミング）
関連する研究室（Ｄ４原子膜工学産学協同研究部門）：「Titanium strip thin film interference」 AzideIon／CC BY-SA 4.0（トリミング）

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