三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門

画像について

トップと研究テーマの画像は内容のイメージで、研究室で撮影したものではありません。ウィキメディア・コモンズの画像をトリミングして使っています。CC BY-SA の画像は、トリミング後の画像も元の画像と同じ CC BY-SA（各行の版）で提供します。

• トップの画像：「Cem Bascer 190206-N-NO204-765」 QROMIS／パブリックドメイン（トリミング）
• 基板の品質とデバイス特性の関係：「MTJ with Waveguide Electrodes & Contacting GSG Probe for Testing」 OJB Quantum／CC BY 4.0（トリミング）
• 新しいデバイスが求める基板の条件：「Semiconductor clean room」 Aileen Devlin/Jefferson Lab from Newport News, USA／パブリックドメイン（トリミング）
• 関連する研究室（Ｄ４原子膜工学産学協同研究部門）：「Titanium strip thin film interference」 AzideIon／CC BY-SA 4.0（トリミング）
• 関連する研究室（NGKアドバンストナノマテリアル産学協同研究部門）：「183483main MSRR-11」 NASA／パブリックドメイン（トリミング）
• 関連する研究室（UJ-Crystal超高品質SiC半導体産学協同研究部門）：「Silicon-carbide-3D-balls」 作者不詳／パブリックドメイン（トリミング）
• 関連する研究室（豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門）：「Wafer - 5」 Windell Oskay／CC BY 2.0（トリミング）