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16个研究室 · 0条学长学姐评价
伊藤 健治
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丰田中研GaN功率器件产学合作研究部门是名古屋大学未来材料与系统研究所的产学合作研究部门之一，研究GaN功率器件。 研究从晶体生长、栅极绝缘膜与界面、加工和离子注入等工艺、器件设计这4个角度展开。 页面上刊载了垂直沟槽GaN器件的图，以及N型低浓度外延层霍尔迁移率的图。
天内 英隆
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三菱化学GaN衬底器件产学合作研究部门致力于高品质GaN衬底的研究开发，这种衬底是充分发挥氮化镓(GaN)优异物性的新型器件结构的基础。 该研究部门旨在研究衬底的品质与器件的特性之间有何种关系，并阐明其机理。 该研究部门是未来材料・系统研究所内的产学合作研究部门之一。
佐藤 大樹
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Photo electron Soul GaN电子束器件产学合作研究部门开展GaN系半导体光电阴极的研发。 通过这项研发，该部门正在加速GaN的新应用“GaN电子束器件”的产业化。 部门名称中的Photo electron Soul株式会社是源自名古屋大学的企业。 该部门是设在未来材料・系统研究所内的产学合作研究部门之一。
村山 健太
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UJ-Crystal超高品质SiC半导体产学合作研究部门是未来材料・系统研究所下设的产学合作研究部门之一，致力于SiC晶体溶液生长技术的研究。 据该部门的介绍，源自名古屋大学的风险企业UJ-Crystal株式会社，将利用SiC溶液生长法技术和机器学习技术，力争尽早实现超高品质SiC单晶衬底的社会应用落地。 该部门表示，这将进一步推动电动汽车（EV）和智能电网领域的节能，为碳中和做出贡献。
中村 真季 特任副教授
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D4原子膜工学产学协同研究部门致力于制备以无机纳米片为代表的、在原子层面设计的薄膜和界面材料，并开拓其功能。 该部门的目标是催化功能的高度化、下一代电子器件，以及在环境・能源领域的应用。 此外，该部门也致力于构建新型纳米结构体。 该部门是设在名古屋大学未来材料与系统研究所的产学协同研究部门之一。
後藤 万佐司
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NGK先进纳米材料产学合作研究部门以无机纳米材料的开发及其应用为核心开展研究。 该部门旨在创造能够为实现碳中和与数字社会作出贡献的新产品和新业务。 该部门是设在名古屋大学未来材料・系统研究所内的产学合作研究部门之一。
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