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UJ-Crystal超高品質SiC半導体产学合作研究部门
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研究SiC晶体溶液生长技术的产学合作研究部门。

About关于研究室
通过溶液生长法研究SiC晶体的部门。
UJ-Crystal超
据该部门的介绍,
该部门表示,
术语说明
- SiC单晶衬底
- 由碳化硅
(SiC) 单晶制成的基板, 是制造半导体器件的基础材料 - SiC溶液生长法
- 从溶液中生长SiC晶体的方法
- 智能电网
- 利用信息技术高效控制电力流动的电网
Research研究课题
据该部门的介绍,
Members教师
- 特任副教授村山 健太
Voices学长学姐的评价
评价基于在读
对于接受采访的学生,
学长学姐的评价
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关于图片
顶部和研究课题的图片为示意图,
- 顶部图片:《Silicon-carbide-3D-balls》 作者不詳/公有领域
(裁剪) - 高品质SiC晶体的溶液生长:《FZU AV CR Silicon Single Crystal C》 Mojmir Churavy/CC BY-SA 4.0(裁剪)
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