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丰田中央研究所GaN功率器件产学合作研究部门
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研究GaN功率器件的制作方法与设计的产学合作研究部门。
About关于研究室
从4个角度研究GaN功率器件。
丰田中研GaN功率器件产学合作研究部门是名古屋大学未来材料与系统研究所的产学合作研究部门之一，
研究从晶体生长、
页面上刊载了垂直沟槽GaN器件的图，
Research研究课题
该部门致力于能高精度控制杂质和点缺陷的外延生长技术，
Members教师
- 特任教授伊藤 健治
- 特任教授兼近 将一
Voices学长学姐的评价
评价基于在读
对于接受采访的学生，
学长学姐的评价
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关于图片
顶部和研究课题的图片为示意图，
- 顶部图片：《Wafer - 5》 Windell Oskay／CC BY 2.0（裁剪）
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