次世代窒化物半導体（プリストフセク研究室）

画像について

トップと研究テーマの画像は内容のイメージで、研究室で撮影したものではありません。ウィキメディア・コモンズの画像をトリミングして使っています。CC BY-SA の画像は、トリミング後の画像も元の画像と同じ CC BY-SA（各行の版）で提供します。

• トップの画像：「Semiconductor laboratory component」 Tourbillon／CC BY-SA 3.0（トリミング）
• 窒素極性デバイス：「FBH GaN High electron mobility transistor」 FBH/P.Immerz／CC BY-SA 4.0（トリミング）
• 結晶を傾けた半極性LED：「Blue LED light」 Common Member code specialist／CC BY-SA 4.0（トリミング）
• マイクロLEDの効率：「L.E.D. lighting array - geograph.org.uk - 3682793」 Neil Owen／CC BY-SA 2.0（トリミング）
• 新材料AlPNのデバイス：「SiC wafers 6inch」 FDominec／CC BY-SA 4.0（トリミング）
• 関連する研究室（交通システム（山本俊行研究室））：「Close-up of an electric car charging. Traffic lights in a blurry background」 Ivan Radic／CC BY 2.0（トリミング）
• 関連する研究室（エネルギーシステム（中部電力）寄附研究部門）：「Marchwood National Grid Substation - geograph.org.uk - 1107752」 Peter Facey／CC BY-SA 2.0（トリミング）
• 関連する研究室（UJ-Crystal超高品質SiC半導体産学協同研究部門）：「Silicon-carbide-3D-balls」 作者不詳／パブリックドメイン（トリミング）
• 関連する研究室（Photo electron Soul GaN電子ビームデバイス産学協同研究部門）：「Plessey Semiconductors Ltd GaN-on-Silicon microLED arrays on wafer」 Palee93／CC BY-SA 4.0（トリミング）