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次世代氮化物半导体（Pristovsek研究室）
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从氮化镓的晶体与器件出发，探索LED和电子器件的研究室。
About关于研究室
探索氮化镓的新可能性。
Pristovsek研究室研究氮化镓
GaN最广泛用于发光二极管
5G通信的核心也用到了GaN，
该研究室是未来材料与系统研究所下属未来电子集成研究中
术语说明
- 氮化镓
- 由镓和氮构成的半导体。
作为发光二极管 （LED） 的材料被广泛使用 - 氮极性
- 将GaN晶体的取向从通常的镓极性反转后的状态。
内部电场也随之 反转 - 半极性
- 将GaN晶体倾斜后使用的取向。
极化 （晶体内部电荷分布的偏移） 会减弱
Research研究课题
氮化镓
※示意图氮极性器件
GaN通常沿镓极性方向生长，
※示意图晶体倾斜的半极性LED
在GaN晶体倾斜的半极性取向上，
※示意图Micro LED的效率
宽度
※示意图新材料AlPN的器件
AlPN是在Al中加入磷和氮而成的新型III族氮化物半导体，
Members教师
Pristovsek研究室的成员由教师和硕士课程的学生组成。
- 特任教授Markus Pristovsek
- 助理教授Xu Yang
Voices学长学姐的评价
评价基于在读
对于接受采访的学生，
学长学姐的评价
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Photo electron Soul GaN电子束器件产学合作研究部门未来材料·系统研究所 产学合作研究部门Photo electron Soul / 名古屋大学GaN电子束器件联合研究部门：本页信息由LabLog运营团队根据研究室的公开信息和采访整理。
关于图片
顶部和研究课题的图片为示意图，
- 顶部图片：《Semiconductor laboratory component》 Tourbillon／CC BY-SA 3.0（裁剪）
- 氮极性器件：《FBH GaN High electron mobility transistor》 FBH/P.Immerz／CC BY-SA 4.0（裁剪）
- 晶体倾斜的半极性LED：《Blue LED light》 Common Member code specialist／CC BY-SA 4.0（裁剪）
- Micro LED的效率：《L.E.D. lighting array - geograph.org.uk - 3682793》 Neil Owen／CC BY-SA 2.0（裁剪）
- 新材料AlPN的器件：《SiC wafers 6inch》 FDominec／CC BY-SA 4.0（裁剪）
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（Photo electron Soul GaN電子ビームデバイス産学協同研究部門） ：《Plessey Semiconductors Ltd GaN-on-Silicon microLED arrays on wafer》 Palee93／CC BY-SA 4.0（裁剪）
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