ナノ電子デバイス工学研究グループ

About关于研究室

世界をもっと便利にする、新しい半導体材料。

中塚研究室は、シリコンに代表されるIV族の半導体をもとに、新しい半導体材料とデバイスの研究をしています。
ナノメートルサイズの極めて小さなトランジスタの性能を上げることや、光と電気を組み合わせた素子の実現を目指しています。
新しい材料の探索、デバイスの構造の設計、LSIを製造する工程の研究を進めています。
ゲルマニウムにスズを加えたGeSnなどの薄膜を、原子の並びをそろえて育てる技術に力を入れています。

Research研究课题

シリコンに代表されるIV族の半導体材料をもとに、極めて小さなトランジスタの高性能化や光電融合素子の実現に向けた研究をしています。新しい材料の探索、デバイス構造の設計、LSIの製造工程の研究開発を進めています。

※示意图

IV族混晶半導体の結晶成長↗

ゲルマニウム（Ge）にスズ（Sn）を加えたGeSnや、さらにシリコン（Si）を加えたSiGeSnは、組成を変えると性質を調節できる混晶です。分子線エピタキシー法や化学気相成長法で、これらを高品質にエピタキシャル成長させる技術を開発しています。

※示意图

トランジスタのゲート絶縁膜と界面↗

GeSnなどの混晶は、高い温度で酸化膜をつくるとスズが析出してしまいます。原子層堆積法（ALD）を使い、ゲート絶縁膜と半導体の間に、低い温度で質のよい極めて薄い層をつくる技術の確立を目指しています。

※示意图

金属と半導体の低抵抗な接合↗

トランジスタの省電力化には、金属と半導体が接する部分（コンタクト）の抵抗を下げることが必要です。GeSnやSiGeSnの界面層や、原子の並びをそろえた金属電極を使い、電気の流れるしくみの解明と低抵抗なコンタクトの形成を目指しています。

※示意图

熱を電気に変える材料↗

電池なしで動くIoT機器に向けて、身の回りの小さな熱を電気に変える、エネルギーハーベスティングの材料を開発しています。将来のLSIの主な元素になりうるシリコン、ゲルマニウム、スズを使い、熱を電気に変える性能を大きく上げることに挑戦しています。

Voices学长学姐的评价

评价基于在读（或曾在读）学生的个人经历，不代表研究室官方观点。评价的有无或数量不代表对研究室的评价。

对于接受采访的学生，无论内容如何，我们可能会赠送谢礼（价值1,000日元的礼品）。