先进纳米电子材料研究室

About关于研究室

从原子开始堆叠半导体，打造新型电子材料。

先进纳米电子材料研究室通过“外延生长”（将半导体晶体从原子层开始逐层堆叠制成）来研究新型电子材料。
当物质的尺寸达到纳米级时，会表现出与肉眼可见大小时不同的性质。
该研究室以分子束外延技术为基础，利用这种尺寸效应，制造针状晶体“纳米线”等半导体材料。
该研究室于2022年4月成立，硕士课程和博士课程的学生积极参与国际学会发表和论文撰写。

Research研究课题

该研究室利用分子束外延，从原子水平组装光学性能优异的III-V族化合物半导体。目标是超越现有性能，开拓引领下一代的纳米尺度半导体材料。

※示意图

在硅衬底上生长大量纳米线↗

在生长将光转换为电的效率很高的GaAs晶体时，该研究室利用Ga自身可作为催化剂的性质，成功在2英寸硅衬底的整个表面上生长出针状的GaAs纳米线。由于纳米线几乎吸收了全部的光，表面看起来一片漆黑。

※示意图

掺入氮或铋的纳米线↗

据预测，在GaAs中掺入氮或铋的晶体，在光通信所用波长下的发光效率和耐温性将大幅提升。该研究室首次成功制备出这种纳米线晶体，并且在GaNAs纳米线中实现了激光振荡。

※示意图

半导体与氧化物结合的纳米线↗

该研究室将化合物半导体与氧化物结合，制造兼具两者特点的纳米线。研究发现，GaAs与氧化物叠加而成的纳米线会发出独特的白光，显示出其作为新型白色光源的潜力。

Voices学长学姐的评价

评价基于在读（或曾在读）学生的个人经历，不代表研究室官方观点。评价的有无或数量不代表对研究室的评价。

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