トープラサートポン研究室

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AI・IoT時代を支える、次世代の半導体デバイス。

トープラサートポン研究室は、AI・IoT時代を支える次世代の半導体デバイスを研究しています。
半導体の微細化が限界に近づくなか、微細化に頼らずに計算の性能を上げる方法が求められています。
シリコンのCMOS技術をもとに、酸化物半導体や強誘電体の材料をシリコンの上に組み込んだトランジスタをつくっています。

Research研究课题

半導体の微細化に頼らずにLSIの性能を上げる、次世代のコンピューティングのためのデバイスを研究しています。強誘電体を使ったメモリやトランジスタ、それを使ったAIのハードウェア、量子コンピュータのための極低温で動くCMOSに取り組んでいます。

※示意图

強誘電体トランジスタとメモリ↗

HfZrO2などの強誘電体をゲートの絶縁膜に使ったトランジスタ（FeFET）や強誘電体メモリを研究しています。原子を1層ずつ積む方法でつくった薄膜の性質と、素子が動くしくみを明らかにし、よい特性の素子をめざします。

※示意图

強誘電体でつくるAIのハードウェア↗

計算の軽いAIの方法であるリザバーコンピューティングを、強誘電体のトランジスタやメモリで実際に動かす研究です。ごく少ない電力で推論や学習ができるAIのハードウェアを、シリコンの上につくることをめざしています。

※示意图

量子コンピュータのための極低温CMOS↗

量子ビットを増やすには、4Kなどの極低温で動くシリコンのCMOS回路を量子ビットのチップの近くに置く必要があります。極低温でのトランジスタの電気的な性質や信頼性を、実験と理論の両方から調べています。

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