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前田研究室
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以氮化镓等宽禁带半导体研究电子器件的研究室。
About关于研究室
揭示宽禁带半导体的物性。
前田研究室研究使用以G
宽禁带半导体已开始用于转换电力的功率器件，
该研究室致力于阐明在传统硅无法想象的高电场和高温下发生的现象，
从器件设计开始，
术语说明
- 宽禁带半导体
- 使电子运动所需能量比硅更大的半导体。
耐高电压和高温。 有GaN、 SiC等 - 肖特基界面
- 金属与半导体接触的界面。
用于使电流易于单向流动的二极管 - 二维电子气
- 聚集在两种半导体界面处、
如薄层般的电子。 能够高速运动， 因此用于高频晶体管
News研究室公告
关于新型氮化物半导体NbAlN制备的合著论文，
发表于Advanced Materials 关于MBE生长的ScAlN/GaN异质结二维电子气的论文，
发表于Applied Physics Letters 硕士课程的学生获得ISPSD 2026 Charitat Award
成功试制超低损耗的AlN系肖特基势垒二极管
（新闻稿） 成功验证耐压kV级GaN光电导型开关的工作（新闻稿）
Research研究课题
阐明宽禁带半导体的基础物性，
※示意图阐明高电场下发生的现象
研究在硅无法想象的高电场和超
※示意图肖特基界面的精密评价
详细测量氮化铝
※示意图氮化物异质结的二维电子
利用分子束外延生长出高质量的ScAlN/GaN异质结，
※示意图AlN系功率器件的基础研究
利用氮化物半导体
Members教师
前田研究室的成员由教师、
- 讲师前田 拓也研究成果 ↗
Voices学长学姐的评价
评价基于在读
对于接受采访的学生，
学长学姐的评价
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学长学姐的评价会回答这些问题
- 这个研究室的推荐点是什么?
- 进入后才知道的事情是什么?
- 氛围和老师的性格如何?
- 推荐给什么样的学生?
- 毕业后的去向?
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关于图片
顶部和研究课题的图片为示意图，
- 顶部图片：《Self-etched nitride MOCVD film》 Evavilova／CC BY-SA 4.0（裁剪）
- 阐明高电场下发生的现象：《ElectricalTree1》 Bert Hickman／CC BY 2.5（裁剪）
- 肖特基界面的精密评价：《Schottky Diode Section》 Laeman／CC BY 3.0（裁剪）
- 氮化物异质结的二维电子：《Cellular 5G Equipment - Cell Tower Antennas》 Tony Webster／CC BY 2.0（裁剪）
- AlN系功率器件的基础研究：《Aluminium Nitride》 en:user:Waprap／公有领域
（裁剪） - 相关研究室
（田中・ 大矢・中根・Anh研究室） ：《Molecular-beam epitaxy system at LAAS 0514》 Guillaume Paumier (user:guillom)／CC BY-SA 3.0（裁剪） - 相关研究室
（Toprasertpong研究室） ：《Ferroelectric domains at a PZT grain boundary ( )》 Oak Ridge National Laboratory／CC BY 2.0（裁剪） - 相关研究室
（横田研究室） ：《Strain gauge》 Cristian V.／CC BY 4.0（裁剪） - 相关研究室
（染谷・神保研究室） ：《Stretchable Electronics》 Steve Jurvetson from Menlo Park, USA／CC BY 2.0（裁剪）
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