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機能デバイス工学研究室
IV族半導体の材料・プロセス・評価を研究する研究室。

About研究室について
低消費電力の半導体を、IV族材料から探る。
機能デバイス工学研究室は、
情報化社会は
こうした
国内外の
用語の説明
- IV族半導体
- シリコンや
ゲルマニウムなど、 周期表で 同じ14族に 並ぶ元素で できた 半導体 - パワー半導体
- 電力の
変換や 制御に 使う 半導体素子 - Ge-on-Insulator
- 絶縁体の
上に ゲルマニウムの 層をのせた 構造。 略して GOI
Research研究テーマ
情報通信機器が
※イメージ画像Si/Ge CMOSプロセス技術
ゲルマニウム
※イメージ画像Geオプトエレクトロニクス
CMOSと
※イメージ画像Geの新しいデバイス応用
GeスピンMOSFETや
※イメージ画像SiCプロセス技術
3C-SiCを
Members教員
- 教授王 冬
- 教授山本 圭介
Voices先輩の声
評価・クチコミは、
インタビューに
先輩の
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先輩の
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画像について
トップと
- トップの
画像:「IMaGe 31000R – Silicon Wafer 20120926」 .RGB./CC BY 2.0(トリミング) - Si/Ge CMOSプロセス技術:「IMaGe 31072R – Silicon Wafer 20120926」 Rob Bulmahn/CC BY 2.0(トリミング)
- Geオプトエレクトロニクス:「Optoelectronics experiment」 Adelphi Lab Center/CC BY 2.0(トリミング)
- Geの
新しい デバイス応用:「A replica of the first working transistor 02」 Mister rf/CC BY-SA 4.0(トリミング) - SiCプロセス技術:「Rounded Silicon Carbide Ingot」 LaMèreVeille/CC BY-SA 4.0(トリミング)
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