ナノマテリアルエレクトロニクス領域

About关于研究室

炭素材料から、次世代の電子デバイスへ。

ナノマテリアルエレクトロニクス領域は、シリコンに代わる新しい半導体材料の有力候補として炭素材料に注目し、電子デバイスを研究しています。
炭素は、ダイヤモンドのようなワイドギャップ半導体から、グラフェンのような高移動度ゼロギャップ半導体まで、多様な物性を示す材料です。
カーボンナノチューブや二次元材料を使ったガスセンサの開発と、ダイヤモンド結晶の成長とデバイス応用を柱に研究しています。
目指しているのは、次世代の電子デバイス基盤となる「カーボンエレクトロニクス」の実現です。

Members教师

ナノマテリアルエレクトロニクス領域のメンバーは、教員、共同研究者、修士課程・学部の学生で構成されています。截至2026年

• 教授（兼）小島 一信
• 副教授田畑 博史
• 助理教授毎田 修

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