先進デバイス工学領域

About关于研究室

次世代のグリーンナノエレクトロニクスを支える。

先進デバイス工学領域（渡部研究室）は、材料の設計から、異種材料の組み合わせや新構造の採用によって、革新的な機能をもつデバイスをつくることを目指しています。
半導体の基礎物性の解明から欠陥制御、デバイスの作製、動作原理の解析、高性能・高信頼性の実証まで、材料・プロセス・デバイスの各段階を一貫してカバーしています。
研究テーマは、省エネルギー社会の実現に不可欠なパワーエレクトロニクスや、超高速演算や完全秘匿通信を切り拓く次世代量子デバイスなどです。
クラス1クリーンルーム内のプロセス装置や、計測機器・解析ツール、高性能のスーパーコンピュータが利用できます。

Research研究课题

この研究室は、半導体の基礎物性の解明から欠陥制御、デバイスの作製、動作原理の解析、高性能・高信頼性の実証まで、材料・プロセス・デバイスの各段階を一貫して研究しています。省エネルギー社会の実現に不可欠なパワーエレクトロニクスや次世代の量子デバイスなどに、実験と理論（計算科学）の両面から取り組んでいます。

※示意图

パワーデバイスの絶縁膜技術↗

SiC、GaN、Ga2O3などのワイドギャップ半導体を使ったMOS型パワーデバイスを研究しています。表面界面反応を原子レベルで制御し、理想的な絶縁膜の形成プロセスを探究しています。

量子技術のための半導体欠陥↗

ワイドギャップ半導体の欠陥に由来する単一光子源やスピン量子光源に注目し、SiCで有望な欠陥の開拓に取り組んでいます。欠陥の形成手法を確立し、発光・スピン特性の自在制御を実現することで、非従来型デバイスの創出に挑んでいます。

※示意图

IV族半導体の光電子融合デバイス↗

シリコンと同じIV族材料のゲルマニウム（Ge）やゲルマニウムスズ（GeSn）で、エレクトロニクスとフォトニクスを融合した光電子融合デバイスの研究開発を進めています。光デバイスを電子デバイスと集積化すると、情報通信の高速化や超低消費電力化が可能です。

※示意图

半導体欠陥の計算による解明↗

スーパーコンピュータによる第一原理計算で、半導体中の欠陥のスピン・光物性を調べています。ワイドギャップ半導体や絶縁膜界面の欠陥を中心に、物質・デバイス設計に直結する知見を得ることを心掛けています。

Voices学长学姐的评价

评价基于在读（或曾在读）学生的个人经历，不代表研究室官方观点。评价的有无或数量不代表对研究室的评价。

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