先进器件工学领域

About关于研究室

支撑下一代绿色纳米电子学。

先进器件工学领域（渡部研究室）致力于从材料设计出发，通过组合异种材料、采用新结构，制造具有革新性功能的器件。
该研究室从半导体基础物性的阐明、缺陷控制、器件制作、工作原理解析，到高性能・高可靠性的验证，一体化覆盖材料、工艺、器件各个阶段。
研究课题包括对实现节能社会不可或缺的功率电子，以及开拓超高速运算和完全保密通信的下一代量子器件等。
可以使用1级洁净室（Class 1）内的工艺设备、测量仪器和分析工具，以及高性能超级计算机。

Research研究课题

该研究室从半导体基础物性的阐明、缺陷控制、器件制作、工作原理解析，到高性能・高可靠性的验证，一体化研究材料、工艺、器件各个阶段。针对实现节能社会不可或缺的功率电子和下一代量子器件等，从实验和理论（计算科学）两方面开展研究。

※示意图

功率器件的绝缘膜技术↗

研究使用SiC、GaN、Ga2O3等宽禁带半导体的MOS型功率器件。在原子水平上控制表面界面反应，探索理想绝缘膜的形成工艺。

面向量子技术的半导体缺陷↗

关注源自宽禁带半导体缺陷的单光子源和自旋量子光源，致力于开拓SiC中有前景的缺陷。通过确立缺陷的形成方法、实现对发光和自旋特性的自由控制，挑战创造非传统器件。

※示意图

IV族半导体的光电融合器件↗

利用与硅同属IV族材料的锗（Ge）和锗锡（GeSn），推进融合电子学与光子学的光电融合器件的研发。将光器件与电子器件集成，可以实现信息通信的高速化和超低功耗化。

※示意图

通过计算阐明半导体缺陷↗

利用超级计算机进行第一性原理计算，研究半导体中缺陷的自旋和光学性质。以宽禁带半导体和绝缘膜界面的缺陷为中心，力求获得与材料・器件设计直接相关的见解。

Voices学长学姐的评价

评价基于在读（或曾在读）学生的个人经历，不代表研究室官方观点。评价的有无或数量不代表对研究室的评价。

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