先进器件研究组

About关于研究室

迈向超越硅极限的功率器件。

須田研究室使用氮化镓（GaN）这种半导体，研究下一代功率器件。
现在的功率器件由硅制成，但已接近材料的极限，性能已没有大幅提升的空间。
GaN不仅是蓝色LED的材料，作为功率器件的材料也具有优异的性质。
从晶体性质的评价，到器件结构的构想与试制，该研究室都有涉及，并根据研究课题与名古屋大学的其他研究室以及国内外的大学・企业开展合作研究。

Research研究课题

随着电动汽车和太阳能发电等领域中电能的重要性不断提高，该研究室研究采用可超越硅材料极限的新型半导体材料的功率器件。以实现采用氮化镓（GaN）的超高性能功率器件为核心，综合考虑晶体、工艺和器件开展研究。

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测量GaN的基础性质↗

GaN的基础物性，尤其是在功率半导体中十分重要的、施加高电场时的性质，尚未得到充分阐明。该研究室开发了独有的评价方法，成功评价了碰撞电离系数，并计划进一步阐明其随晶体取向而产生的差异。

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通过离子注入改变指定位置的性质↗

作为向任意位置掺入杂质的技术，该研究室研究离子注入与退火。通过与波兰UNIPRESS的合作研究开发了超高压退火，在世界上首次证实了离子注入Mg的高激活率。目前正面向器件应用开展评价。

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阐明晶体的紊乱——“点缺陷”↗

在制造器件的数百道工序中，会因原子位置的偏移或杂质而产生点缺陷，成为特性劣化的原因。该研究室利用霍尔效应测量和深能级瞬态谱（DLTS）法，评价GaN中的点缺陷。

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GaN纵向功率MOSFET的开发↗

这是一种擅长处理大电流、有望应用于新干线和电动汽车的器件。该研究室研究改善栅极绝缘膜与GaN界面的退火条件，并致力于阐明阈值电压变动的机理并加以抑制。

Voices学长学姐的评价

评价基于在读（或曾在读）学生的个人经历，不代表研究室官方观点。评价的有无或数量不代表对研究室的评价。

对于接受采访的学生，无论内容如何，我们可能会赠送谢礼（价值1,000日元的礼品）。