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结晶成长信息工学研究小组
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也善用AI，培育下一代半导体晶体的研究室。
About关于研究室
与AI携手，培育高品质晶体。
宇治原研究室以培
SiC晶体被期待用作控制电力的功率半导体材料，
为加快材料开发，
术语说明
- 晶体生长
- 使原子或分子规则排列而成的晶体在液体或气体中长大
- 功率半导体
- 在电动汽车和家电等设备中，
负责转换和控 制电力的半导体 - 缺陷
- 晶体中原子排列紊乱的位置，
是导致半导体性能下降的原因
News研究室公告
查看更多 ↗Research研究课题
该研究室致力于高质量地培育用于下一代功率半导体的SiC等晶体，
※示意图SiC的晶体生长
作为控制电力的功率半导体的新材料，
※示意图用AI加快材料开发
为打破“材料开发需要数十年”的常识，
※示意图评价晶体的缺陷
SiC和GaN是最适合高性能器件的材料，
※示意图能切换热的材料
为了利用地球上被白白浪费的能量
Members教师
宇治原研究室的成员由教师、
- 教授宇治原 徹
- 副教授原田 俊太
- 副教授沓掛 健太朗
- 特任副教授LIU Xin
- 特任助理教授原田 知季
Voices学长学姐的评价
评价基于在读
对于接受采访的学生，
学长学姐的评价
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学长学姐的评价会回答这些问题
- 这个研究室的推荐点是什么?
- 进入后才知道的事情是什么?
- 氛围和老师的性格如何?
- 推荐给什么样的学生?
- 毕业后的去向?
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过程信息工学研究组工学部 材料工学科将过程系统工程和信息科学技术应用于化工过程，本页信息由LabLog运营团队根据研究室的公开信息和采访整理。
关于图片
顶部和研究课题的图片为示意图，
- 顶部图片：《Rounded Silicon Carbide Ingot (cropped)》 LaMèreVeille／CC BY-SA 4.0（裁剪）
- SiC的晶体
生长：《SiC wafers 6inch》 FDominec／CC BY-SA 4.0（裁剪） - 用AI加快材料开发：《PDC server room》 Esquilo／CC BY-SA 3.0（裁剪）
- 评价晶体的缺陷：《Scrutinyite crystal structure (Wyckoff 1963) polyhedra model on (001)》 Ra'ike (Wikipedia)／CC0（裁剪）
- 能切换热的材料：《KSD-301 thermal switch 03》 Retired electrician／CC0（裁剪）
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（功能性材料创成工学研究室 （旭 良司）） ：《Beta-Barium Orthotitanate crystal structure》 WilliamDParker／CC BY-SA 3.0（裁剪） - 相关研究室
（能源・环境材料创成工学研究室） ：《Hexagon solar cells》 Wikideas1／CC0（裁剪） - 相关研究室
（过程信息工学研究组） ：《Pueblo Chemical Agent-Destruction Pilot Plant Process Cooling Towers ( )》 PEO ACWA／CC BY 2.0（裁剪）
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