角嶋研究室

About关于研究室

機能性界面の制御で、次世代の電子デバイスを。

角嶋研究室は、性能が高く、消費電力の小さい半導体デバイスをつくる研究をしています。
半導体デバイスは、種類の違う材料どうしが接する界面の性質を使って動いてきました。
その界面がもともと持っている働きを最大限に引き出すプロセスを考え、デバイスを試作して確かめます。
扱うのは、電力を効率よく変換するパワーデバイスや、変換効率を高める太陽電池です。

Research研究课题

省エネルギーの社会をつくるには、大規模集積回路による効率の高いエネルギー制御が欠かせず、そのための半導体デバイスには高い性能と低い消費電力の両方が求められます。この研究室では、理想的な異種材料界面を実現するプロセスを考案し、デバイスの試作を通じて確かめる研究をしています。

※示意图

GaNパワーデバイス↗

AlGaN/GaN HEMTは、電力を効率よく変換できると期待されるデバイスです。界面を制御する技術を使い、しきい値を調整できるゲート絶縁膜の材料や、信頼性の高い電極の材料を検討しています。

SiCパワーデバイス↗

シリコンカーバイド（SiC）は、社会インフラで使う高い電圧の領域で効率よく電力を変換できる材料です。さらに効率と安定性を高めるため、ゲート絶縁膜やショットキー電極の材料を、界面制御の考え方で調べています。

※示意图

ナノワイヤ太陽電池↗

シリコンを10ナノメートル以下まで細くすると、量子効果によってバンドギャップが大きくなります。これを使って太陽電池の開放電圧を上げ、変換効率を高めるために、解決すべき課題を洗い出しています。

Voices学长学姐的评价

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