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先﨑 純寿研究室
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用数据阐明功率半导体晶体缺陷与寿命之间关系的研究室。
About关于研究室
测量并理解缺陷，让半导体可以放心使用。
先﨑研究室以S
该研究室利用最前沿的测量技术和高级数据分析使晶体缺陷可视化，
研究在产业技术综合研究所进行。
该研究室可以从
术语说明
- 功率半导体
- 在电动汽车逆变器、
铁路车辆电力转换装置、 可再生能源用功率调节器、 5G基站等领域实用化不断推进的半导体 - SiC
- 碳化硅。
与GaN （氮化镓） 并列， 是下一代功率半导体的代表性材料 - 晶体缺陷
- 存在于半导体晶圆内部的缺陷。
会导致器件良率下降， 以及 长期使用过程中可靠性的劣化
Research研究课题
阻碍下一代功率半导体社会应用落地的课题在于，
连接缺陷与劣化的数据库
系统地积累从晶圆质量、
※示意图从晶圆质量解读良率的分析
将器件试制前后获取的“晶圆质量数据”与“器件良率・可靠性数据”纳入同一框架，
※示意图基于劣化机理的寿命预测
关注下一代功率半导体器件特有的可靠性劣化，
Members教师
- 合作教授先﨑 純寿
Voices学长学姐的评价
评价基于在读
对于接受采访的学生，
学长学姐的评价
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关于图片
顶部和研究课题的图片为示意图，
- 顶部图片：《Emerson Network Power 7001232-J200 - National Semiconductor LM340T5-93496》 Raimond Spekking／CC BY-SA 4.0（裁剪）
- 从晶圆质量解读良率的分析：《Wafer 20110212》 Sangitiana Fararano／CC BY-SA 2.0（裁剪）
- 基于劣化机理的寿命预测：《MITSUBISHI IGBT module》 Sthdhk／CC BY-SA 4.0（裁剪）
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