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喜多研究室
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该研究室面向节能社会,控制电子器件的界面。

About关于研究室
从界面的纳米区域出发,设计器件。
喜多研究室研究电子器件中材料相互接触的界面附近所发生的现象。
研究室的目标是通过控制该区域的结构和性质,
研究对象是高效转换电力的下一代功率器件,
为了实现社会的节能化,
术语说明
- 界面
- 两种不同物质相接触的交界部分
- 功率器件
- 在用电设备中用于转换电压和电流的半导体元件
- 栅极绝缘膜
- 晶体管中,
夹在决定电流通断的电极 (栅极) 与半导体之间的不导电薄膜 - 铁电性
- 即使不施加电压也能保持电偏置
(极化), 并且可以通 过电压使其方向反转的性质
News研究室公告
查看更多 ↗Research研究课题
该研究室致力于革新下一代电子器件的物质科学,
※示意图SiC功率器件的高性能化
开发减少SiC
※示意图氧化镓器件的基础技术
研究在被寄予厚望的下一代功率器件材料氧化镓
※示意图栅极绝缘膜界面的物理
研究不同氧化物之间的界面上出现的“界面偶极效应”的起源。
※示意图纳米厚度的铁电薄膜
利用原子层沉积法
Members教师
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关于图片
顶部和研究课题的图片为示意图,
- 顶部图片:《SiC wafers 6inch》 FDominec/CC BY-SA 4.0(裁剪)
- SiC功率器件的高性能化:《Bulk Silicon Carbide Crystal》 LaMèreVeille/CC BY-SA 4.0(裁剪)
- 氧化镓器件的基础技术:《Wafer - 2》 Windell Oskay/CC BY 2.0(裁剪)
- 栅极绝缘膜界面的物理:《Silicon chip from a computer laser mouse under a microscope 50х》 Original: Alexander Klepnev Derivative work: IamMM/CC BY-SA 4.0(裁剪)
- 纳米厚度的铁电薄膜:《Hf-crystal bar》 Alchemist-hp (www.pse-mendelejew.de)/CC BY-SA 3.0 de(裁剪)
- 相关研究室
(霜垣研究室) :《Multicrystalline silicon wafer with thin film iridescence》 Radiotrefoil/CC BY-SA 4.0(裁剪) - 相关研究室
(内田・豊島研究室) :《Silicon wafer close view》 Le hollandais volant/CC BY 4.0(裁剪) - 相关研究室
(近藤研究室) :《Perovskite solar cell》 Dennis Schroeder / National Renewable Energy Laboratory/公有领域 (裁剪) - 相关研究室
(长汐研究室) :《Graphen》 AlexanderAlUS/CC BY-SA 3.0(裁剪)
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