前田研究室

About关于研究室

ワイドギャップ半導体の物性を解き明かす。

前田研究室は、GaN（窒化ガリウム）に代表されるワイドギャップ半導体を使った電子デバイスを研究しています。
ワイドギャップ半導体は、電力を変換するパワーデバイスや、携帯基地局の高周波トランジスタなどに使われ始めています。
研究室では、従来のシリコンでは考えられない高い電界や高温で起きる現象を明らかにし、デバイスの性能向上や新しい機能につなげることを目指しています。
素子を設計し、学内のクリーンルームで自分たちでデバイスを作って、測定・解析まで行います。

Research研究课题

ワイドギャップ半導体の基礎物性を解明し、デバイスの高性能化や新しい機能の発現に学術の立場から貢献することを目指しています。数値計算にもとづいて素子を設計し、自分たちでデバイスを作製して測定・解析します。

※示意图

高い電界で起きる現象の解明↗

シリコンでは考えられない高い電界や超高温で起きる、ワイドギャップ半導体に特有の物理現象を調べています。絶縁破壊を決める衝突イオン化係数が、電子と正孔で大きく違うことなどが分かり始めています。

※示意图

ショットキー界面の精密評価↗

窒化アルミニウム（AlN）系ショットキーバリアダイオードの電流と電圧の特性を詳しく測り、電流が流れるしくみが熱で励起された電子のトンネル輸送であることを明らかにしました。NTT物性科学基礎研究所との共同研究です。

※示意图

窒化物ヘテロ接合の二次元電子↗

分子線エピタキシーでScAlNとGaNの高品質なヘテロ接合を育て、境目にできる二次元電子ガスの散乱のしくみを解明しました。次世代の高周波トランジスタにつながる研究で、住友電気工業との共同研究です。

※示意图

AlN系パワーデバイスの基礎研究↗

窒化物半導体に特有の混晶・ヘテロ接合の技術を使い、AlN系デバイスの中で最小のオン抵抗を示すショットキーバリアダイオードの試作に成功しました。NTT物性科学基礎研究所との共同研究です。

Voices学长学姐的评价

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