電子機器工学[日暮・竹内]研究室

About研究室について

小型高機能な集積デバイスをめざし、異種材料を実装する。

日暮・竹内研究室は、異種材料・異種機能を集積するヘテロジニアス集積技術や、低温接合技術を研究しています。
半導体の分野では、微細化に加えて多機能化や異機能の融合が進んでおり、異種材料の集積は半導体産業の継続的な成長の鍵として注目されています。
小型・高性能・省エネルギー性に優れた電子・光デバイス、センサ、アクチュエータ、エネルギーデバイスなどの創出に貢献することを目指しています。
将来のIoT社会を支える電子機器システムの高度化への貢献も掲げています。

Research研究テーマ

異種の材料を低温・常温でつなぐ接合技術によって、小型・高性能・省エネルギー性に優れた機能デバイスの創出に貢献することを目指しています。表面活性化接合による実装、粗い接合面の平滑化、ポリシラザンを介した接合、Auの中空バンプなどを研究しています。

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表面活性化接合によるデバイス実装↗

接合は電子デバイス実装の要で、低温・常温接合は素子へのダメージが少なく、熱膨張係数の異なる材料や低耐熱性ポリマとも集積できます。表面活性化接合を応用したデバイス実装を研究しています。

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粗い面を平滑にして常温接合↗

研磨が難しいチップサイズ、パターン付き膜、Auなどの材料向けに、付加加工による平滑化技術を開発しています。テンプレートストリッピングという金属薄膜の転写技術と表面活性化接合を組み合わせ、粗い面でも常温接合を可能にします。

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ポリシラザンを介した常温接合↗

SiO2の前駆体として知られるポリシラザンを、SiO2の接合界面に転化させ、プラズマによる親水化処理と組み合わせることで、室温での接合を達成しました。良好な密着性と高い接合強度をもつウェハ接合を、室温プロセスで実現しています。

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Au中空バンプでの低温・低荷重接合↗

先端が塑性変形して低温接合を促すAu先鋭マイクロバンプには、先端の応力集中でチップが傷む課題があります。Au膜転写で作る中空構造のバンプにより、従来より低荷重で塑性変形し、応力集中を軽減して低温・低荷重接合を達成しました。

Voices先輩の声

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