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先﨑 純寿 研究室
パワー半導体の結晶欠陥と寿命の関係をデータで解き明かす研究室。

About研究室について
欠陥を測って理解し、安心して使える半導体へ。
先﨑研究室は、
最先端の
研究は、
大学院から
用語の説明
- パワー半導体
- 電気
自動車の インバータや 鉄道車両の 電力変換装置、 再生可能エネルギー用の パワーコンディショナ、 5G基地局などで 実用化が 進んでいる 半導体 - SiC
- 炭化ケイ素。
GaN (窒化ガリウム)と 並ぶ、 次世代パワー半導体の 代表的な 材料 - 結晶
欠陥 - 半導体ウェハの
内部に 存在する 欠陥。 デバイスの 歩留まり 低下や、 長く 使ううちの 信頼性の 劣化を 引き起こす
Research研究テーマ
次世代パワー半導体の
欠陥と劣化をつなぐデータベース
ウェハ品質、
※イメージ画像ウェハ品質から歩留まりを読む解析
デバイス試作の
※イメージ画像劣化の仕組みに基づく寿命予測
次世代パワー半導体デバイスに
Members教員
- 連携教授先﨑 純寿
Voices先輩の声
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画像:「Emerson Network Power 7001232-J200 - National Semiconductor LM340T5-93496」 Raimond Spekking/CC BY-SA 4.0(トリミング) - ウェハ品質から
歩留まりを 読む 解析:「Wafer 20110212」 Sangitiana Fararano/CC BY-SA 2.0(トリミング) - 劣化の
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