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喜多研究室
省エネルギー社会に向けて、電子デバイスの界面を制御する研究室。

About研究室について
界面のナノ領域から、デバイスを設計する。
喜多研究室は、
その
対象は、
社会の
用語の説明
- 界面
- 異なる
2つの 物質が 接している 境目の 部分 - パワーデバイス
- 電気を
使う機器の 中で、 電圧や 電流を 変換する ための 半導体の 部品 - ゲート絶縁膜
- トランジスタで、
電流の オン・ オフを 決める 電極 (ゲート)と 半導体の 間には さむ、 電気を 通さない 薄い 膜 - 強誘電性
- 電圧を
かけなくても 電気的な 偏り (分極)を 保ち、 電圧で その 向きを 反転できる 性質
News研究室のお知らせ
博士課程の
学生が、 電子デバイス界面テクノロジー研究会 講演奨励賞を 受賞 田村助教が、
IWDTF Best Paper Awardを 受賞 博士課程の
学生が、 IWDTF Young Researcher Awardを 受賞
Research研究テーマ
次世代の
※イメージ画像SiCパワーデバイスの高性能化
SiC
※イメージ画像酸化ガリウムのデバイスの基礎技術
次世代の
※イメージ画像ゲート絶縁膜の界面の物理
異なる
※イメージ画像ナノの厚さの強誘電体薄膜
ナノメートルの
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4段階で、
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画像について
トップと
- トップの
画像:「SiC wafers 6inch」 FDominec/CC BY-SA 4.0(トリミング) - SiCパワーデバイスの
高性能化:「Bulk Silicon Carbide Crystal」 LaMèreVeille/CC BY-SA 4.0(トリミング) - 酸化ガリウムの
デバイスの 基礎技術:「Wafer - 2」 Windell Oskay/CC BY 2.0(トリミング) - ゲート絶縁膜の
界面の 物理:「Silicon chip from a computer laser mouse under a microscope 50х」 Original: Alexander Klepnev Derivative work: IamMM/CC BY-SA 4.0(トリミング) - ナノの
厚さの 強誘電体 薄膜:「Hf-crystal bar」 Alchemist-hp (www.pse-mendelejew.de)/CC BY-SA 3.0 de(トリミング) - 関連する
研究室 (霜垣研究室) :「Multicrystalline silicon wafer with thin film iridescence」 Radiotrefoil/CC BY-SA 4.0(トリミング) - 関連する
研究室 (内田・豊島研究室) :「Silicon wafer close view」 Le hollandais volant/CC BY 4.0(トリミング) - 関連する
研究室 (近藤研究室) :「Perovskite solar cell」 Dennis Schroeder / National Renewable Energy Laboratory/パブリックドメイン (トリミング) - 関連する
研究室 (長汐研究室) :「Graphen」 AlexanderAlUS/CC BY-SA 3.0(トリミング)
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