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前田研究室
窒化ガリウムなどのワイドギャップ半導体で電子デバイスを研究する研究室。

About研究室について
ワイドギャップ半導体の物性を解き明かす。
前田研究室は、
ワイドギャップ半導体は、
研究室では、
素子を
用語の説明
- ワイドギャップ半導体
- シリコンより
電子を 動かすのに 大きな エネルギーが 要る 半導体。 高い 電圧や 温度に 強い。 GaNや SiCなど - ショットキー界面
- 金属と
半導体が 接した 境目。 電流を 一方 向に 流しやすい ダイオードに 使われる - 二次元電子ガス
- 2種類の
半導体の 境目に、 薄い層のように 集まった 電子。 速く 動けるので 高周波トランジスタに 使う
News研究室のお知らせ
新しい
窒化物半導体NbAlNの 作製に 関する 共著論文が、 Advanced Materialsに 掲載 MBEで
育てたScAlN/GaNヘテロ接合の 二次元電子ガスの 論文が、 Applied Physics Lettersに 掲載 修士課程の
学生が、 ISPSD 2026 Charitat Awardを 受賞 超低損失の
AlN系ショットキーバリアダイオードの 試作に 成功 (プレスリリース) 耐圧kV級の
GaN光伝導型スイッチの 動作実証に 成功 (プレスリリース)
Research研究テーマ
ワイドギャップ半導体の
※イメージ画像高い電界で起きる現象の解明
シリコンでは
※イメージ画像ショットキー界面の精密評価
窒化アルミニウム
※イメージ画像窒化物ヘテロ接合の二次元電子
分子線エピタキシーで
※イメージ画像AlN系パワーデバイスの基礎研究
窒化物半導体に
Members教員
前田研究室の
- 講師前田 拓也研究業績 ↗
Voices先輩の声
評価・クチコミは、
インタビューに
先輩の
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先輩の
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分かった ことは? - 雰囲気や
先生の 人柄は? - どんな
学生に おすすめ? - 卒業後の
進路は?
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画像について
トップと
- トップの
画像:「Self-etched nitride MOCVD film」 Evavilova/CC BY-SA 4.0(トリミング) - 高い
電界で 起きる 現象の 解明:「ElectricalTree1」 Bert Hickman/CC BY 2.5(トリミング) - ショットキー界面の
精密評価:「Schottky Diode Section」 Laeman/CC BY 3.0(トリミング) - 窒化物ヘテロ接合の
二次元電子:「Cellular 5G Equipment - Cell Tower Antennas」 Tony Webster/CC BY 2.0(トリミング) - AlN系パワーデバイスの
基礎研究:「Aluminium Nitride」 en:user:Waprap/パブリックドメイン (トリミング) - 関連する
研究室 (田中・ 大矢・中根・アイン研究室) :「Molecular-beam epitaxy system at LAAS 0514」 Guillaume Paumier (user:guillom)/CC BY-SA 3.0(トリミング) - 関連する
研究室 (トープラサートポン研究室) :「Ferroelectric domains at a PZT grain boundary ( )」 Oak Ridge National Laboratory/CC BY 2.0(トリミング) - 関連する
研究室 (横田研究室) :「Strain gauge」 Cristian V./CC BY 4.0(トリミング) - 関連する
研究室 (染谷・神保研究室) :「Stretchable Electronics」 Steve Jurvetson from Menlo Park, USA/CC BY 2.0(トリミング)
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