志村研究室

About关于研究室

甄别半导体材料，并将其制备出来。

志村研究室研究半导体器件的材料与工艺。
为实现结合电子与光的低功耗器件，该研究室研究与硅兼容性良好的IV族半导体Ge和GeSn。
此外，面向处理大功率的功率器件，该研究室还致力于利用X射线形貌术检测晶体缺陷的评价技术。
该研究室以通过半导体器件的开发，为大家更美好的生活做出贡献为目标。

Research研究课题

随着数字化和物联网的普及，信息通信系统被要求具备前所未有的性能。志村研究室以Ge、GeSn等IV族半导体材料和利用X射线形貌术进行的晶体评价为两大支柱，以通过半导体器件的开发为更美好的生活做出贡献为目标。

※示意图

光电融合器件↗

将电子电路与光器件结合起来，可以更快速、更低功耗地传输数据。该研究室使用与硅技术兼容性良好的IV族半导体Ge和GeSn，以实现光与电子融合的器件为目标。

※示意图

X射线形貌术↗

用于功率器件的SiC等宽禁带半导体的衬底，存在晶体缺陷较多的问题。该研究室通过X射线形貌术对晶体进行评价并评价其缺陷，以提高下一代功率器件的可靠性和生产率为目标。

※示意图

Ge系材料的热电器件↗

热电器件是利用温差产生电压的塞贝克效应，将热直接转换为电的元件。该研究室正在推进使用通过激光液相晶化制备的GeSn材料，制造即使在室温下也具有高性能的热电器件的研究。

Voices学长学姐的评价

评价基于在读（或曾在读）学生的个人经历，不代表研究室官方观点。评价的有无或数量不代表对研究室的评价。

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