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电子自旋共振波谱研究室
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利用电子自旋共振探查半导体器件内部晶体缺陷的研究室。

About关于研究室
用电子自旋找出半导体中的缺陷。
梅田研究室
利用ESR,
这些异常部位会导致器件产生多余的电流和功耗,
该研究室与民营企业及外部研究机构合作,
术语说明
- 电子自旋共振
(ESR) - 观察物质中电子自旋的实验方法。
在研究半导体等材料的晶体缺陷和杂质原子时能发挥强 大作用 - 晶体缺陷
- 晶格中原子排列紊乱的部位。
是决定半导体性质的能级的来源 - EDMR
- 电流检测型ESR。
也能测量微米至纳米尺寸的微小器件的内部 - SiC
- 碳化硅
(silicon carbide)。 作为可替代硅的半导体材料, 正被广泛研究
Research研究课题
该研究室利用电子自旋共振波谱,
※示意图用电子自旋观察缺陷
利用观察物质中电子自旋的ESR,
※示意图探查微小器件的内部
对于常规ESR灵敏度
※示意图SiC功率器件的界面缺陷
SiC功率器件中,
Members教师
梅田研究室的成员由教师,
- 副教授梅田 享英
Voices学长学姐的评价
评价基于在读
对于接受采访的学生,
学长学姐的评价
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计算物性物理学研究室理工学群 应用理工学类基于量子理论的计算机模拟材料设计。本页信息由LabLog运营团队根据研究室的公开信息和采访整理。
关于图片
顶部和研究课题的图片为示意图,
- 顶部图片:《Electron spin resonance spectroscopy》 Bill Branson (Photographer)/公有领域
(裁剪) - 用电子自旋观察缺陷:《Laboratory of electron spectroscopy》 Dominik Bejma, Marta Kowalkińska/CC BY 4.0(裁剪)
- 探查微小器件的内部:《Silicon chip from a computer laser mouse under a microscope 50х》 Original: Alexander Klepnev Derivative work: IamMM/CC BY-SA 4.0(裁剪)
- SiC功率器件的界面缺陷:《Nedap ESD1 - power supply board 1 - ON Semiconductor U》 Raimond Spekking/CC BY-SA 4.0(裁剪)
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