西早研究室

About关于研究室

通过晶体生长，发现电子的新性质。

西早研究室利用先进的晶体生长技术调控物质的结构和对称性，研究电子的新性质（物性）。
研究室使用在原子层面控制厚度的薄膜，以及将其从基板上剥离下来的“自支撑膜（membrane）”，通过堆叠和微细加工来改变其性质。
通过精密的电学测量等手段，阐明拓扑与量子性相交汇的现象，目标是应用于器件的功能。
这是工学系研究生院附属量子相电子学研究中心新成立的研究室。

Research研究课题

研究室以外延技术制备的薄膜，以及将其从基板上剥离下来的自支撑膜为核心，研究表现出量子物性的电子材料的开拓，以及利用人工叠层结构和纳米结构对物性的调控。研究室致力于阐明在平整均匀的晶体中不会出现的量子现象，并开拓对器件有用的功能。

※示意图

用分子束外延制备量子物质↗

利用可在原子层面控制厚度的分子束外延法制备新材料。通过减薄、利用与基板的失配产生应变、叠合不同的材料等方法，目标是激发出超越天然晶体的性质。

※示意图

拓扑电子相中的电流输运↗

研究拓扑半金属等新型电子状态中，由能带结构产生的特殊电流输运方式。揭示无能量损耗的导电以及巨磁阻效应等现象的机理。

※示意图

用自支撑膜自由堆叠↗

利用将薄膜晶体从基板上剥离并使其独立存在的“自支撑膜”技术，制作普通生长方法无法实现的结构。通过施加大应变以及扭转堆叠，开拓在平整晶体中不会出现的性质。

Voices学长学姐的评价

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