ナノ物性デバイス

About研究室について

高品質なヘテロ接合で、低消費電力デバイスをめざす。

浜屋研究室は、半導体スピントロニクスやマルチフェロイク、超伝導のデバイスで、次世代の低消費電力エレクトロニクスの開発を目指しています。
背景には、大規模データセンターの電力消費量が2050年に現在の約2500倍へ増えると予想されていることがあります。
シリコン基板上に、低消費電力で動く演算部と不揮発メモリを載せた、オンチップ集積型の半導体技術の開拓を目指しています。
研究室のサイトでは「浜屋研究室」の名前で紹介されています。

Research研究テーマ

データセンターの消費電力の増大が社会問題となっていることから、半導体システムの低消費電力化技術の開発が重要だと考えています。研究室では、シリコン基板上で動く演算部と不揮発メモリを備えた、オンチップ集積型の革新的な半導体技術の開拓を目指しています。

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シリコンゲルマニウムのスピンMOSFET↗

ゲルマニウムやシリコンゲルマニウムを半導体チャネルに使うスピンMOSFETの実証を目指しています。性能指標の磁気抵抗比を、回路上で読み出せるレベルまで高めることに取り組んでいます。

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高集積縦型スピンデバイス↗

横型構造の改良だけでは性能向上が難しくなっているため、縦型のデバイス構造を独自に研究しています。分子線エピタキシーで、Si基板上の全単結晶の縦型構造を実証しました。

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電圧で制御するスピンデバイス↗

電流での磁化制御は、微細化や高速化で書き込みの消費電力が大きくなります。そこで電圧で磁化を制御するため、界面マルチフェロイク材料と、それを使ったデバイスを開発しています。

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超伝導用の低消費電力メモリ↗

単一磁束量子(SFQ)回路用のメモリは、書き込み方式に集積化と省電力の面で課題があります。そこで界面マルチフェロイク構造の磁性制御技術の適用を探り、圧電体上への超伝導薄膜の作製に成功しています。

Voices先輩の声

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