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ナノマテリアルエレクトロニクス領域
炭素材料でセンサや半導体デバイスをつくる、ナノエレクトロニクスの研究室。

About研究室について
炭素材料から、次世代の電子デバイスへ。
ナノマテリアルエレクトロニクス領域は、
炭素は、
カーボンナノチューブや
目指しているのは、
用語の説明
- ワイドギャップ半導体
- バンドギャップ(電子が
動けるように なるのに 必要な エネルギーの 差)が 大きい 半導体。 ダイヤモンドが 例 - カーボンナノチューブ
- 炭素原子が
筒状に つながった 材料。 原子レベルの 構造と 大きな 比表面積を もち、 センサ材料と して 注目される - 貫通転位
- 結晶の
中に できる 欠陥の 一種。 異種材料の 界面から 高密度に 発生し、 デバイス特性を 下げる
Research研究テーマ
シリコンの
※イメージ画像低次元材料を使ったガスセンサ
低次元材料に
※イメージ画像ダイヤモンドの大面積基板とデバイス
大面積の
Members教員
ナノマテリアルエレクトロニクス領域の
- 教授
(兼) 小島 一信 - 准教授田畑 博史
- 助教毎田 修
Voices先輩の声
評価・クチコミは、
インタビューに
先輩の
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先輩の
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分かった ことは? - 雰囲気や
先生の 人柄は? - どんな
学生に おすすめ? - 卒業後の
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画像について
トップと
- トップの
画像:「Microchip for Carbon Nanotube Field Effect Transistors fabrication」 Aidar Kemelbay/CC BY-SA 4.0(トリミング) - 低次元材料を
使った ガスセンサ:「Sample of MoS2」 Leiem/CC BY-SA 4.0(トリミング) - ダイヤモンドの
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