志村研究室

About研究室について

半導体の材料を、見極め、つくる。

志村研究室は、半導体デバイスの材料とプロセスを研究しています。
電子と光を組み合わせた低消費電力のデバイスに向けて、シリコンと相性のよいIV族半導体であるGeやGeSnを扱います。
また、大きな電力を扱うパワーデバイスに向けて、X線トポグラフィで結晶の欠陥を調べる評価技術にも取り組んでいます。
半導体デバイスの開発を通じて、みんなのよりよい暮らしに貢献することを目指しています。

Research研究テーマ

デジタル化とIoTの広がりによって、情報通信システムにはこれまでにない性能が求められています。志村研究室は、GeやGeSnといったIV族半導体の材料と、X線トポグラフィによる結晶の評価を柱に、半導体デバイスの開発を通してよりよい暮らしに貢献することを目指しています。

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光と電子の融合デバイス↗

電子の回路と光のデバイスを組み合わせると、データをより速く、より少ない電力でやり取りできます。シリコンの技術と相性のよいIV族半導体であるGeとGeSnを使い、光と電子を融合したデバイスの実現を目指しています。

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X線トポグラフィ↗

パワーデバイスに使われるSiCなどのワイドギャップ半導体の基板は、結晶の欠陥が多いことが課題です。X線トポグラフィによる結晶の評価と欠陥の評価から、次世代パワーデバイスの信頼性と生産性を高めることを目指しています。

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Ge系材料の熱電デバイス↗

熱電デバイスは、温度差から電圧が生まれるゼーベック効果を使い、熱をそのまま電気に変える素子です。レーザによる液相結晶化でつくるGeSn材料を使い、室温でも性能の高い熱電デバイスをつくる研究を進めています。

Voices先輩の声

評価・クチコミは、在籍している（していた）学生個人の経験に基づくもので、研究室の公式見解ではありません。クチコミの有無や件数は、研究室の評価を表すものではありません。

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