ファム研究室

About研究室について

人工知能に向けたスピン半導体材料とデバイス。

ファム研究室は、半導体と磁性体の特長をあわせ持つ、スピンを使った半導体の材料とデバイスを研究しています。
半導体は動作が速く、磁性体は電力を使わずにデータを保存できるため、両方を融合すればエネルギー効率がきわめて高いデバイスが期待できます。
材料工学から固体物性、デバイス工学までをまたぐ「スピンデバイス工学」に取り組んでいます。
トポロジカル絶縁体を使った低消費電力の次世代メモリ「SOT-MRAM」の研究を、企業とも共同で進めています。

Research研究テーマ

ファム研究室は、半導体スピントロニクスが抱えるさまざまな課題を解決する、新しい材料とデバイス構造を研究開発しています。半導体と磁性体の技術を融合し、低消費電力の社会の実現に貢献することを目指しています。

※イメージ画像

鉄を使った強磁性半導体↗

これまでのマンガン系の問題点を解決する、鉄（Fe）を使った次世代の強磁性半導体を研究しています。n型の強磁性半導体もつくれ、室温で動作するものが期待できます。

※イメージ画像

スピンダイオード・スピントランジスタ↗

強磁性半導体の接合を使ったスピンp-nダイオードやスピントランジスタを研究しています。磁化の向きで出力を変えられ、不揮発性の磁気メモリや組み替えできる論理回路に応用できます。

※イメージ画像

磁性ナノ微粒子と単電子トランジスタ↗

半導体のGaAsの中にMnAsの強磁性ナノ微粒子をつくり、スピンによる電気の流れ方を調べています。電子を一つずつ流す「単電子スピントランジスタ」も作製しています。

Voices先輩の声

所属していた学生の回答をもとにまとめています。評価・クチコミは学生個人の経験に基づくもので、研究室の公式見解ではありません。

インタビューに協力いただいた学生に、内容にかかわらず謝礼（1,000円分のギフト）をお渡しすることがあります。